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DDR3代 K4B4G1646D-BCK0 容量4GB特价

时间:2018-07-03 20:25 来源:深圳市廊宇达科技有限公司 在线销售:点击这里给我发消息

4GB DDR3 SDRAM E-DE被组织成一个32兆位×16 I/OS X8BANS,
装置。该同步装置实现高速双数据速率。
传输速率高达2133Mb/SEC/PIN(DDR3-2133),用于一般应用。
该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM特征
如张贴CAS,可编程CWL,内部(自)校准,
使用ODT引脚和异步复位芯片终止。
所有的控制和地址输入都与外部的一对同步。
提供差分时钟。输入在差分交叉点处被锁存。
时钟(CK上升和CK下降)。所有I/OS都与A同步。
源同步方式中的一对双向选通(DQS和DQS)。
地址总线用于传输行、列和存储体地址。
Ras/CAS复用方式中的信息。DDR3器件工作
1.5V(1.425V~1.575伏)电源1.5V(1.425V~1.575伏)
VDDQ
4GB DDR3 E-DE器件在96FBFBGA(X16)中可用

K4B4G1646D-BCK0.jpg
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